Los sensores de UV de tipo GaN “KPDU086SU27-H11Q y KPDU086SU31-H11Q” logran alta sensibilidad a los rayos ultravioletas profundos UV-B y UV-C
TOKIO–(BUSINESS WIRE)–Kyoto Semiconductor Co., Ltd. (presidente y director ejecutivo Yoshihisa Shinya, casa central: Fushimi-ku, ciudad de Kioto), fabricante líder de soluciones de dispositivos ópticos con tecnologías a nivel mundial y calidad japonesa, ha anunciado dos productos de sensor de UV GaN “KPDU086SU27-H11Q y KPDU086SU31-H11Q”.
Los sensores de UV “KPDU086SU27-H11Q” y “KPDU086SU31-H11Q” fueron desarrollados con el objetivo de lograr una mayor sensibilidad que los sensores de UV convencionales del tipo Si para cumplir con las necesidades del mercado de sensores de detección profunda de UV.
Dado que los sensores de UV convencionales del tipo Si detectan una amplia gama de longitudes de onda, es común aplicar un filtro para limitar la sensibilidad de rango de longitud de onda UV.
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